10月24日在线ａｖ，环球跳跃的智能结尾制造商OPPO发布了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro，主打漂浮直屏和影像旗舰，天玑9400处理器与潮汐引擎的超强成立，配合冰川电板与极速充电时刻，或者为用户带来通顺的操作体验和握久的续航发扬。
据了解，OPPO 这次发布的Find X8/X8 pro系列手机取舍了英诺赛科全链路氮化镓（AllGaN）时刻，从电源侧的快速充电（80W超等闪充和50W无线充）笔直机里面主板的充电过压保护（OVP），均取舍了英诺赛科氮化镓。
据悉，英诺赛科是环球功率半导体创新的指点者，亦然环球最大的氮化镓芯片制造企业。公司取舍IDM全产业链买卖模式，并在环球范围内初次完了了先进的8英寸氮化镓量产工艺，是环球氮化镓行业的龙头企业，于2023-2024年，连系2年入选“胡润环球独角兽榜”。
英诺赛科的氮化镓产物用于各式低中高压欺骗场景，产物研发范围袒护15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓经管决策。竖立于今，英诺赛科领有近700项专利及专利肯求，产物可浩繁欺骗于奢靡电子、可再天真力及工业欺骗、汽车电子及数据中心等前沿领域。
全链路氮化镓（AllGaN）时刻
第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特质，或者打造体积更小、充电更快且安全性更高的产物。
OPPO 在Find X8/X8 pro系列手机主板充电过压保护和50W无线充产物中，取舍了英诺赛科40V双向导通芯片VGaN，一颗替代两颗背靠背的 Si MOS，大大简化了里面空间，使产物缠绵愈加漂浮。同期，VGaN 具备双向导通或关断的特质，能在手机充电经过中对电板进行主动保护，增强了安全性和使用寿命。50W无线充更是称心了用户遍地随时快速充电的需求。
充电侧的超等闪充则取舍了英诺赛科高压GaN，该芯片取舍TO-252 封装，阻抗更低，散热更强，效果更高。凭证 OPPO 官方数据对比，取舍英诺赛科高压 GaN 的80W 超等闪充与此前标配的80W适配器相比，体积减小约18%，随身佩戴更浮浅。
环球跳跃的智能结尾制造商取舍与英诺赛科长期深度合营，体现了其对创新时刻和产物质能的信心和决心。据了解，该厂商已有多个系列产物（包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充）的主板和充电器均取舍了英诺赛科 AllGaN 时刻，完了了产物质能与竞争力的跳跃。
氮化镓赋能曩昔，共促行业创新
妖媚婷儿 户外氮化镓材料以其高频、高电子迁徙率、强抗放射才智及低导通电阻等超卓特质，正冉冉改换功率半导体行业花式。巨擘机构预测，2023年至2028年间，环球氮化镓功率半导体阛阓领域将完了指数级增长，复合年增长率高达98.5%，阛阓后劲宏大。
当作环球功率半导体创新的前驱，英诺赛科握续引颈氮化镓功率半导体行业进入加快发展阶段，弗若斯特沙利文瞻望至2028年，环球阛阓领域将达到501.4亿元东说念主民币。
占据上风赛说念，据悉，英诺赛科最近三年业务高速增长，收入由2021年的6821.5万元（东说念主民币，下同）加多至2023年的5.9亿元，2021年-2023年，收入复合年增长率高达194.8%。
一方面环球氮化镓下流欺骗进入爆发期，需求端强力拉动，另一方面成绩于公司长期豪阔远见的政策布局，英诺赛科取舍IDM模式，在产物缠绵、工艺制造、测试及下流欺骗等方面握续无数插足，建设了独到且无可比较的时刻跳跃地位及概括运营上风，或者灵验称心阛阓强劲需求。
当作第三代半导体氮化镓创新的指点者，曩昔，英诺赛科将握续深耕，期待以愈加超卓的时刻，助力更多行业厂商，打造更极致更优质的产物，共同鼓励行业创新及欺骗。
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